페 로브 스카이 트 태양 전지 (psc) 기술은 다른 소위 3 세대 태양 전지와 많은 유사점을 공유합니다. 특히 셀 설계 및 프로세스 측면에서 염료 감응 형 태양 전지 (dssc) 및 유기 태양 전지 (osc 또는 opv 셀)에 매우 가깝습니다. 그러나 psc의 빠른 진행은 언급 된 각 기술이 독립적으로 개발되고 있기 때문에 유사성으로 부분적으로 만 설명 할 수 있습니다.

psc 모듈을 생성하는 프로세스가 두 개 이상 있습니다. 가장 간단한 방법으로 pscs는 슬롯 다이, 스프레이 코팅 및 잉크젯 인쇄와 같은 잘 알려진 기술을 포함하여 롤 투롤 코팅 또는 증발을 통해 제조 할 수 있습니다. 이 공정은 본질적으로 결정질 실리콘 (c-si) 셀에 사용되는 웨이퍼 제조 및 다른 관련 공정에 대한 필요성을 제거한다.

psc 제조의 또 다른 장점은 페 로브 스카이 트가 단일 접합 및 탠덤 접합 기술에 모두 사용될 수 있다는 것입니다. 단일 접합 기술은 광전 효과를 제공하는 단일 페 로브 스카이 트 재료 층에 의존하는 가장 간단한 형태입니다. 이 형식에서 psc는 최대 23 %의 전환 효율성에 도달 할 수 있습니다. 효율성을 27 % 이상으로 높이기 위해 많은 연구소와 스타트 업은 psc를 표준 c-si 셀 또는 박막의 추가 흡수층으로 결합하는 다중 접합 셀 유형 인 탠덤 셀의 사용을 모색하고 있습니다. cigs 또는 cdte 모듈과 같은

페 로브 스카이 트 기술의 장점은 간단합니다. 페 로브 스카이 트 재료는 결정질 실리콘, 특히 단결정 p 형 및 n 형에 비해 상대적으로 저렴하다.이 기술은 폴리 실리콘,은 페이스트 및 표준 c-si 모듈에 사용되는 기타 재료를 사용할 필요가 없기 때문이다. 재료 내에서 긴 캐리어 확산 길이로 인해 더 높은 효율을 달성 할 수 있으며, 재료의 광범위하게 조정 가능한 밴드 갭으로 인해 패널의 색상 (흡수 밴드)을 선택할 가능성이 있습니다. psc는 단일 접합 및 다중 접합 기술 (c-si 및 박막)로 작동 할 수 있으며, 통합 태양 광 발전 (bipv) 및 유틸리티 규모의 태양 광 발전소 구축과 같은 다양한 응용 분야 및 분야에 적합합니다.

그러나 psc 기술은 수분, 산소, 자외선 및 고온의 존재 하에서 강한 분해와 같은 몇 가지 중요한 영역에서 추가적인 개선이 여전히 필요합니다. 납과 주석의 독성은 제조 과정에서 사용되며 작동 중 및 수명이 다했을 때 명백해질 수 있기 때문에 해결해야합니다.

필요한 개선의 또 다른 중요한 영역은 셀 크기입니다. 뉴스에서 지속적으로 광고되는 18-23 %의 기록 효율성은 매우 작은 셀에서 달성되었으며, 실제 상업적 용도와 호환되는 크기의 셀은 여전히 ​​10–12 %의 훨씬 낮은 효율을 나타냅니다.

요컨대,이 기술은 여전히 ​​모든 요구 사항을 충족하고 연구 셀 테스트에서 상용 모듈 생산으로 전환 할 준비가되었음을 입증해야합니다.